ddr2ddr3插槽区别（ddr2和ddr3缺口区别）

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ddr2ddr3插槽区别

插槽是不一样，DDR3比DDR2频率高，速度快，容量大，性能高。

DDR3内存相对于DDR2内存，其实只是规格上的提高，并没有真正的全面换代的新架构。DDR3接触针脚数目同DDR2皆为240pin。但是防呆的缺口位置不同。

DDR3在大容量内存的支持较好，而大容量内存的分水岭是4GB这个容量，4GB是32位操作系统的执行上限，当市场需求超过4GB的时候，64位CPU与操作系统就是唯一的解决方案，此时也就是DDR3内存的普及时期。

既支持DDR2还支持DDR3主板，其中2个是DDR2的插槽,2个是DDR3的插槽，但是不能同时使用2种类型的,只能选择1种。

参考资料

内存改进

DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。

封装

封装（Packages）DDR3由于新增了一些功能，所以在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。

突发长度

突发长度（BL，Burst Length）由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（BL，Burst Length）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。

而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。

寻址时序

寻址时序（Timing）就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2至5之间，而DDR3则在5至11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。

降低功耗

DDR3内存在达到高带宽的同时，其功耗反而可以降低，其核心工作电压从DDR2的1.8V降至1.5V，相关数据*DDR3将比现时DDR2节省30%的功耗，当然发热量我们也不需要担心。就带宽和功耗之间作个平衡，对比现有的DDR2-800产品，DDR3-800、1066及1333的功耗*别为0.72X、0.83X及0.95X，不但内存带宽大幅提升，功耗表现也比上代更好。

ddr2和ddr3缺口区别

同代内存的插槽与内存条的插脚是一致的。识别方法：

1、直观查看内存条的防呆口位置，即可轻易分辨出来：

① 台式机内存条对比，下图中DDR3的防呆缺口左边有48pin，缺口右边为72pin；DDR2的防呆缺口左边有56pin（缺口偏左），缺口右边为64个针脚（缺口偏中央）；

② 笔记本内存条防呆口对比，DDR2缺口偏左，DDR3缺口偏中；

2、主板上内存插槽的识别如下图，不同代条子因PCB板的防呆口，与插槽的防呆口，位置不相同，错插是插不到位的，只能对号入座。

3、至于内存的规格参数差别，有些太专业了，不是普通用户能理解的。用户也可通过条子上厂商标贴，根据标示的字母数字识别内存型号、规格、容量、代数。

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